|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001324798 |
| 005 |
20161221114248.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20161012d2016 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Исследование эффектов переключения памяти в тонкопленочных структурах Me/MeOx/Me на основе полупроводниковых оксидов
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальность 01.04.10 Физика полупроводников
$f Алексеева Людмила Геннадьевна
$g [Санкт-Петербургский государственный университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина)]
|
| 210 |
# |
# |
$a Санкт-Петербург
$d 2016
|
| 215 |
# |
# |
$a 18 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 18
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2749267
$a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar4759018
$a ОКСИДНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar34175
$a ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ СТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39524
$a ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМАЯ ПАМЯТЬ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar5836467
$a МЕМРИСТОРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar7100385
$a МОМ-СТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2694520
$a ЭЛЕКТРОННЫЙ ТРАНСПОРТ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.29
$v 6
$2 rugasnti
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-530097
$a Алексеева
$b Л. Г.
$g Людмила Геннадьевна
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20161012
$g psbo
|
