|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001308976 |
| 005 |
20160929151542.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20160810d2016 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a y m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Исследование и разработка технологии изготовления гетероструктур на основе антимонида галлия методом ГФЭМОС
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальность 01.04.10 Физика полупроводников
$f Левин Роман Викторович
$g [Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН]
|
| 210 |
# |
# |
$a Санкт-Петербург
$d 2016
|
| 215 |
# |
# |
$a 19 с.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 15—19 (36 назв.)
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2749267
$a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2730326
$a АНТИМОНИД ГАЛЛИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar32980
$a ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1658634
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3275927
$a ГАЗОФАЗНАЯ ЭПИТАКСИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar77311
$a МЕТАЛЛООРГАНИЧЕСКИЕ СОЕДИНЕНИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2644768
$a ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39284
$a ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.29
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.13.11
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar11189710
$a Левин
$b Р. В.
$g Роман Викторович
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20160810
$g psbo
|
