|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001262680 |
| 005 |
20160311113752.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20160202d2015 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe радиационно-термическими воздействиями
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
$e специальность 01.04.10 Физика полупроводников
$f Талипов Нияз Хатимович
$g Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет"
|
| 210 |
# |
# |
$a Томск
$d 2015
|
| 215 |
# |
# |
$a 46 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 41—46
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2749267
$a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar7152325
$a УЗКОЗОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar26857
$a РАДИАЦИОННОЕ ВОЗДЕЙСТВИЕ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar12158
$a ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar5250098
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ФОТОПРИЕМНИКИ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.21
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.33.47
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.13.35
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.13.33
$v 6
$2 rugasnti
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar10330746
$a Талипов
$b Н. Х.
$g Нияз Хатимович
$c доктор физико-математических наук
$f род. 1956
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20160202
$g psbo
|
