Особенности развития деградации внешней квантовой эффективности мощных синих светодиодов на основе квантоворазмерных InGaN/GaN структур: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Черняков Антон Евгеньевич

Сохранено в:
Шифр документа: 2//172960(039),
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Черняков, А. Е.
Опубликовано: Санкт-Петербург , 2014
Физические характеристики: 22 с.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a2200000 ia4500
001 BY-NLB-br0001075730
005 20140715161310.0
100 # # $a 20140529d2014 k y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
105 # # $a y m 000yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Особенности развития деградации внешней квантовой эффективности мощных синих светодиодов на основе квантоворазмерных InGaN/GaN структур  $e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук  $e специальность 01.04.10 Физика полупроводников  $f Черняков Антон Евгеньевич  $g [Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН] 
210 # # $a Санкт-Петербург  $d 2014 
215 # # $a 22 с. 
320 # # $a Библиография: с. 21—22 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2749267  $a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar58871  $a СВЕТОДИОДЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar4314591  $a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar56130  $a НИТРИДЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar4438834  $a КВАНТОВАЯ ЭФФЕКТИВНОСТЬ  $2 DVNLB 
686 # # $a 29.19.31  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 29.19.22  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 47.03.05  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-ar7550693  $a Черняков  $b А. Е.  $g Антон Евгеньевич 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20140529  $g psbo