|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001053714 |
| 005 |
20140425110233.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20140409d2014 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Полупроводниковые нанокомпозиты на основе кремния и силицидов
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
$e специальность 01.04.10 Физика полупроводников
$f Горошко Дмитрий Львович
$g [Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук]
|
| 210 |
# |
# |
$a Владивосток
$d 2014
|
| 215 |
# |
# |
$a 31 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 28—31
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2749267
$a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2299426
$a НАНОКОМПОЗИТЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar30000
$a СИЛИЦИДЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar15096
$a КРЕМНИЙ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39620
$a ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ПЛЕНКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar12158
$a ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1658634
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar23677
$a ПЛАНАРНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.22
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 53.41.31
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.29
$2 rugasnti
$v 6
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-508836
$a Горошко
$b Д. Л.
$g Дмитрий Львович
$c кандидат физико-математических наук
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20140409
$g psbo
|
