|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
001 |
BY-NLB-br0001051660 |
005 |
20150723100250.0 |
100 |
# |
# |
$a 20140403d2014 k y0rusy50 ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a RU
|
105 |
# |
# |
$a a m 001yy
|
109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
200 |
1 |
# |
$a Получение и исследование эпитаксиальных пленок твердых растворов (SiC)1-х (AlN)х, и поверхностно-барьерных структур на их основе
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальность 01.04.10 Физика полупроводников
$f Рамазанов Шихгасян Муфтялиевич
$g [Дагестанский государственный университет]
|
210 |
# |
# |
$a Махачкала
$d 2014
|
215 |
# |
# |
$a 21 с.
$c ил.
|
320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 19—21
|
488 |
# |
0 |
$1 001BY-NLB-br0001200672
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2749267
$a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1778938
$a ШИРОКОЗОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39620
$a ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ПЛЕНКИ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar32980
$a ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2187791
$a КАРБИД КРЕМНИЯ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar5200085
$a НИТРИД АЛЮМИНИЯ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2912718
$a ПОТЕНЦИАЛЬНЫЙ БАРЬЕР
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar4777100
$a МАГНЕТРОННОЕ РАСПЫЛЕНИЕ
$2 DVNLB
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$2 rugasnti
$v 6
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.16
$2 rugasnti
$v 6
|
686 |
# |
# |
$a 47.09.29
$2 rugasnti
$v 6
|
686 |
# |
# |
$a 47.13.33
$2 rugasnti
$v 6
|
686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar7329925
$a Рамазанов
$b Ш. М.
$g Шихгасан Муфтялиевич
$c физика
|
801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20140403
$g psbo
|