|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001033207 |
| 005 |
20140409155535.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20140212d2013 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Гетероструктуры (Al)GaN/AlN для полупроводниковой фотоэлектроники ближнего УФ-диапазона
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
$e специальность 05.11.07 Оптические и оптико-электронные приборы и комплексы
$f Мазалов Александр Владимирович
$g [ОАО "НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха"]
|
| 210 |
# |
# |
$a Москва
$d 2013
|
| 215 |
# |
# |
$a 22 с.
$c табл., ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 18—22
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar69630
$a ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar5250098
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ФОТОПРИЕМНИКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1658634
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1993079
$a МОС-ГИДРИДНАЯ ЭПИТАКСИЯ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.29.31
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.13.11
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 05.11.07
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar7092606
$a Мазалов
$b А. В.
$g Александр Владимирович
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20140212
$g psbo
|
