Эпитаксиальные гетероструктуры AlGaAs/GaAs и мощные лазерные излучатели (λ = 808нм) на их основе: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 05.27.03 Квантовая электроника / Яроцкая Ирина Валентиновна
Zapisane w:
| Format: | |
|---|---|
| 1. autor: | Яроцкая, И. В. |
| Wydane: | Москва , 2013 |
| Opis fizyczny: |
22 с.
|
| Język: | Русский |
| Hasła przedmiotowe: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Dostępne Zamów | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||