Эпитаксиальные гетероструктуры AlGaAs/GaAs и мощные лазерные излучатели (λ = 808нм) на их основе: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 05.27.03 Квантовая электроника / Яроцкая Ирина Валентиновна
Enregistré dans:
| Format: | |
|---|---|
| Auteur principal: | Яроцкая, И. В. |
| Publié: | Москва , 2013 |
| Description matérielle: |
22 с.
|
| Langue: | Русский |
| Sujets: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Disponible Réserver | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||