Эпитаксиальные гетероструктуры AlGaAs/GaAs и мощные лазерные излучатели (λ = 808нм) на их основе: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 05.27.03 Квантовая электроника / Яроцкая Ирина Валентиновна
Gespeichert in:
| Format: | |
|---|---|
| 1. Verfasser: | Яроцкая, И. В. |
| Veröffentlicht: | Москва , 2013 |
| Beschreibung: |
22 с.
|
| Sprache: | Русский |
| Schlagworte: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Verfügbar Bestellen | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||