Эпитаксиальные гетероструктуры AlGaAs/GaAs и мощные лазерные излучатели (λ = 808нм) на их основе: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 05.27.03 Квантовая электроника / Яроцкая Ирина Валентиновна
Захавана ў:
| Тып дакумента: | |
|---|---|
| Аўтар: | Яроцкая, И. В. |
| Апублікавана: | Москва , 2013 |
| Фізіч. характарыстыкі: |
22 с.
|
| Мова: | Руская |
| Прадмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Усяго : 1 , даступна: 1 | Даступна Замовіць | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||