Эпитаксиальные гетероструктуры AlGaAs/GaAs и мощные лазерные излучатели (λ = 808нм) на их основе: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 05.27.03 Квантовая электроника / Яроцкая Ирина Валентиновна

Сохранено в:
Шифр документа: 2//167577(039),
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Яроцкая, И. В.
Опубликовано: Москва , 2013
Физические характеристики: 22 с.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a2200000 ia4500
001 BY-NLB-br0001030567
005 20140325140824.0
100 # # $a 20140205d2013 k y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
105 # # $a y m 000yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Эпитаксиальные гетероструктуры AlGaAs/GaAs и мощные лазерные излучатели (λ = 808нм) на их основе  $e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук  $e специальность 05.27.03 Квантовая электроника  $f Яроцкая Ирина Валентиновна  $g [Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха] 
210 # # $a Москва  $d 2013 
215 # # $a 22 с. 
320 # # $a Библиография: с. 19—22 
606 0 # $3 BY-NLB-ar13196  $a КВАНТОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar15663  $a ЛАЗЕРНАЯ ТЕХНИКА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar11317  $a ИЗЛУЧАТЕЛИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar1658634  $a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
686 # # $a 47.35.01  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 47.03.07  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 05.27.03  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-ar7054805  $a Яроцкая  $b И. В.  $g Ирина Валентиновна 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20140205  $g psbo