|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001003815 |
| 005 |
20140105152519.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20131119d2013 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Фотоэлектрические и яркостные характеристики структур GaAs-ZnS для твердотельных преобразователей изображений
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальность 01.04.10 Физика полупроводников
$f Яскевич Тамара Михайловна
$g [Национальный исследовательский Томский государственный университет, Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова]
|
| 210 |
# |
# |
$a Томск
$d 2013
|
| 215 |
# |
# |
$a 22 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 19—22
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2749267
$a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar6882
$a АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3247355
$a СУЛЬФИД ЦИНКА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar62345
$a ЛЮМИНОФОРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1932605
$a ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar28135
$a РЕНТГЕНОВСКОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar32976
$a ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.29
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.43
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar6702193
$a Яскевич
$b Т. М.
$g Тамара Михайловна
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20131119
$g psbo
|
