Напряженное состояние и дислокационная структура пленок GaAs, GaP и GeSi на кремнии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.07 Физика конденсированного состояния / Лошкарев Иван Дмитриевич

Enregistré dans:
Шифр документа: 2//160689(039),
Format: Авторефераты диссертаций
Auteur principal: Лошкарев, И.Д.
Publié: Новосибирск , 2013
Description matérielle: 18 с. : ил.
Langue: Русский
Sujets:

ОФХ отдела книгохранения

Всего : 1 , доступно: 1 Disponible  Réserver

Информация об экземплярах

Шифр Фонд Место нахождения Статус экземпляра Читальный зал
2//160689(039) ОФХ отдела книгохранения (039) 11:4:3:91 СВОБОДЕН Рекомендованный ЧитЗал