Напряженное состояние и дислокационная структура пленок GaAs, GaP и GeSi на кремнии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.07 Физика конденсированного состояния / Лошкарев Иван Дмитриевич
Gespeichert in:
| Format: | |
|---|---|
| 1. Verfasser: | Лошкарев, И.Д. |
| Veröffentlicht: | Новосибирск , 2013 |
| Beschreibung: |
18 с. : ил.
|
| Sprache: | Русский |
| Schlagworte: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Verfügbar Bestellen | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||