|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0000993547 |
| 005 |
20221004103529.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20131018d2013 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Напряженное состояние и дислокационная структура пленок GaAs, GaP и GeSi на кремнии
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальность 01.04.07 Физика конденсированного состояния
$f Лошкарев Иван Дмитриевич
$g [Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН]
|
| 210 |
# |
# |
$a Новосибирск
$d 2013
|
| 215 |
# |
# |
$a 18 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 15—18
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3130678
$a ФИЗИКА КОНДЕНСИРОВАННЫХ СРЕД
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1659663
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПЛЕНКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2685016
$a КРЕМНИЕВЫЕ ПОДЛОЖКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar19578
$a НАПРЯЖЕННОЕ СОСТОЯНИЕ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3360093
$a ДИСЛОКАЦИОННЫЕ СТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.03
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.16
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.11
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.07
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$a Лошкарев
$b И.Д.
$g Иван Дмитриевич
|
| 712 |
0 |
2 |
$3 BY-SEK-ar1591050
$a Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова
$c Новосибирск
$4 475
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20131018
$g RCR
|
