|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
001 |
BY-NLB-br0000993487 |
005 |
20131123103235.0 |
100 |
# |
# |
$a 20131018d2013 k y0rusy50 ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a RU
|
105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
200 |
1 |
# |
$a Влияние дефектности структуры на электрофизические свойства термоэлектрических материалов на основе халькогенидов Bi и Sb, полученных методом вертикальной направленной кристаллизации и экструзии
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
$e специальность 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
$f Гочуа Константин Владиславович
$g [Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС"]
|
210 |
# |
# |
$a Москва
$d 2013
|
215 |
# |
# |
$a 26 с.
$c ил., табл.
|
320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 25—26
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1797574
$a ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar36693
$a ХАЛЬКОГЕНИДЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39284
$a ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar32346
$a СТРУКТУРА
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar9083
$a ДЕФЕКТЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2864147
$a НАПРАВЛЕННАЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2751289
$a ЭКСТРУЗИЯ (техн. процесс)
$2 DVNLB
|
686 |
# |
# |
$a 05.27.06
$2 oksvnk
|
686 |
# |
# |
$a 45.09.35
$2 rugasnti
$v 6
|
700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar6648689
$a Гочуа
$b К. В.
$g Константин Владиславович
|
801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20131018
$g psbo
|