|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0000985555 |
| 005 |
20131018191037.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20130925d2013 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Атомные реконструкции и электронные свойства поверхностей полупроводников A³B5 с адсорбатами
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
$e специальность 01.04.10 Физика полупроводников
$f Терещенко Олег Евгеньевич
$g [Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук]
|
| 210 |
# |
# |
$a Новосибирск
$d 2013
|
| 215 |
# |
# |
$a 37 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 33—37
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2749267
$a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar6882
$a АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2104558
$a СОРБАТЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2333145
$a АТОМНЫЕ СТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2775861
$a СТРУКТУРА ПОВЕРХНОСТИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39092
$a ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1923959
$a РЕКОНСТРУКЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar55425
$a ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКАЯ ОБРАБОТКА
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.16
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-460915
$a Терещенко
$b О. Е.
$g Олег Евгеньевич
$c кандидат физико-математических наук
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20130925
$g psbo
|
