|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0000966287 |
| 005 |
20220524090121.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20130718d2013 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Влияние дизайна метаморфного буфера на электрофизические и структурные свойства эпитаксиальных метаморфных НЕМТ наногетероструктур In0.7Al0.3As/In0.7Ga0.3As/In0.7Al0.3As на подложках GaAs и InP
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
$f Пушкарев Сергей Сергеевич
$g [Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук]
|
| 210 |
# |
# |
$a Москва
$d 2013
|
| 215 |
# |
# |
$a 26 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 24—26
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar17342
$a ЭЛЕКТРОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1658634
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar4314591
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar33920
$a ТЕХНОЛОГИЯ МАТЕРИАЛОВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2282245
$a МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar36797
$a ХИМИЧЕСКИЙ СОСТАВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1800903
$a СТРУКТУРА МАТЕРИАЛОВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2764600
$a СВОЙСТВА МАТЕРИАЛОВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39284
$a ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.29
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.48
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 31.15.19
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 05.27.01
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar6416585
$a Пушкарев
$b С. С.
$g Сергей Сергеевич
$c кандидат физико-математических наук
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20130718
$g RCR
|
