Электронные свойства структур с квантовой ямой InxGA1-xAs (0.2 ≤ x ≤ 0.6) на подложках GaAs и InP: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Юзеева Наталия Александровна
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Юзеева, Н. А. |
| Опубликовано: | Москва , 2013 |
| Физические характеристики: |
22 с. : ил., табл.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||