|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0000954833 |
| 005 |
20181207142024.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20130611d2013 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Электронные свойства структур с квантовой ямой InxGA1-xAs (0.2 ≤ x ≤ 0.6) на подложках GaAs и InP
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
$f Юзеева Наталия Александровна
$g [Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук]
|
| 210 |
# |
# |
$a Москва
$d 2013
|
| 215 |
# |
# |
$a 22 с.
$c ил., табл.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 20—22
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2125662
$a СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar4284565
$a ТРАНЗИСТОРЫ С ВЫСОКОЙ ПОДВИЖНОСТЬЮ ЭЛЕКТРОНОВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1658634
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2390800
$a КВАНТОВЫЕ ЯМЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24113
$a ПОДЛОЖКИ (электроника)
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar6882
$a АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2297581
$a ФОСФИД ИНДИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar36420
$a ФОТОПРОВОДИМОСТЬ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.03.10
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.29
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.48
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 05.27.01
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar6280425
$a Юзеева
$b Н. А.
$g Наталия Александровна
$c кандидат физико-математических наук
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20130611
$g RCR
|
