Физические основы оптимизации нитридных полупроводниковых гетероструктур для их применения в высокоэффективных светодиодных устройствах: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук: специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Бугров Владислав Евгеньевич

Сохранено в:
Шифр документа: 2//154659(039),
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Бугров, В. Е. (род. 1973)
Опубликовано: Санкт-Петербург , 2013
Физические характеристики: 35 с. : ил.
Язык: Русский
Предмет:

ОФХ отдела книгохранения

Всего : 1 , доступно: 1 Доступно  Заказать

Информация об экземплярах

Шифр Фонд Место нахождения Статус экземпляра Читальный зал
2//154659(039) ОФХ отдела книгохранения (039) 11:4:3:91 СВОБОДЕН Рекомендованный ЧитЗал