Физические основы оптимизации нитридных полупроводниковых гетероструктур для их применения в высокоэффективных светодиодных устройствах: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук: специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Бугров Владислав Евгеньевич

Сохранено в:
Шифр документа: 2//154659(039),
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Бугров, В. Е. (род. 1973)
Опубликовано: Санкт-Петербург , 2013
Физические характеристики: 35 с. : ил.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a2200000 ia4500
001 BY-NLB-br0000950654
005 20130802133309.0
100 # # $a 20130531d2013 k y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
105 # # $a a m 000yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Физические основы оптимизации нитридных полупроводниковых гетероструктур для их применения в высокоэффективных светодиодных устройствах  $e автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук  $e специальность 01.04.10 Физика полупроводников  $f Бугров Владислав Евгеньевич  $g [Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики] 
210 # # $a Санкт-Петербург  $d 2013 
215 # # $a 35 с.  $c ил. 
320 # # $a Библиография: с. 33—35 (36 назв.) 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2749267  $a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar1658725  $a ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ОПТОЭЛЕКТРОНИКА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar1658634  $a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar39620  $a ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ПЛЕНКИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar56130  $a НИТРИДЫ  $2 DVNLB 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
686 # # $a 29.19.31  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 29.19.16  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 47.33.33  $2 rugasnti  $v 6 
700 # 1 $3 BY-SEK-454553  $a Бугров  $b В. Е.  $g Владислав Евгеньевич  $c кандидат физико-математических наук  $f род. 1973 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20130531  $g psbo