|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
001 |
BY-NLB-br0000950654 |
005 |
20130802133309.0 |
100 |
# |
# |
$a 20130531d2013 k y0rusy50 ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a RU
|
105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
200 |
1 |
# |
$a Физические основы оптимизации нитридных полупроводниковых гетероструктур для их применения в высокоэффективных светодиодных устройствах
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
$e специальность 01.04.10 Физика полупроводников
$f Бугров Владислав Евгеньевич
$g [Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики]
|
210 |
# |
# |
$a Санкт-Петербург
$d 2013
|
215 |
# |
# |
$a 35 с.
$c ил.
|
320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 33—35 (36 назв.)
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2749267
$a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1658725
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ОПТОЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1658634
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39620
$a ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ПЛЕНКИ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar56130
$a НИТРИДЫ
$2 DVNLB
|
686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$2 rugasnti
$v 6
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.16
$2 rugasnti
$v 6
|
686 |
# |
# |
$a 47.33.33
$2 rugasnti
$v 6
|
700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-454553
$a Бугров
$b В. Е.
$g Владислав Евгеньевич
$c кандидат физико-математических наук
$f род. 1973
|
801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20130531
$g psbo
|