|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0000907098 |
| 005 |
20130416134342.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20130211d2012 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Разработка технологических основ получения эпитаксиальных слоев нитрида галлия методом хлоридно-гидридной эпитаксии на подложках сапфира
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
$e специальность 05.17.01 Технология неорганических веществ
$f Донсков Александр Андреевич
$g [Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллургической промышленности «Гиредмет»]
|
| 210 |
# |
# |
$a Москва
$d 2012
|
| 215 |
# |
# |
$a 24 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 22—24 (18 назв.)
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3251604
$a НИТРИД ГАЛЛИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar18851
$a МОНОКРИСТАЛЛЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39620
$a ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ПЛЕНКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2685025
$a ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ НАРАЩИВАНИЕ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1718776
$a ГЕТЕРОЭПИТАКСИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24113
$a ПОДЛОЖКИ (электроника)
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39622
$a ЭПИТАКСИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2326536
$a САПФИРЫ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 05.17.01
$2 oksvnk
|
| 686 |
# |
# |
$a 31.15.17
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.13
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$2 rugasnti
$v 6
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar5743117
$a Донсков
$b А. А.
$g Александр Андреевич
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20130211
$g psbo
|
