|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0000877084 |
| 005 |
20220714163803.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20121126d2012 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальность 01.04.10 Физика полупроводников
$f Горн Дмитрий Игоревич
$g [Томский государственный университет, Сибирский физико-технический институт]
|
| 210 |
# |
# |
$a Томск
$d 2012
|
| 215 |
# |
# |
$a 18 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 17—18
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2749267
$a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1658634
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2185522
$a ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2390800
$a КВАНТОВЫЕ ЯМЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2282245
$a МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar4314591
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.22
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.31.23
$v 6
$2 rugasnti
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar5482866
$a Горн
$b Д. И.
$g Дмитрий Игоревич
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20121126
$g psbo
|
