Особенности образования наноостровков в многослойных SiGe гетероструктурах и метод селективного легирования SiGe структур сегрегирующими примесями: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Юрасов Дмитрий Владимирович

Сохранено в:
Шифр документа: 2//144649(039),
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Юрасов, Д. В. (род. 1985)
Опубликовано: Нижний Новгород , 2012
Физические характеристики: 22 с. : ил.
Язык: Русский
Предмет:
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
КРЕМНИЕВЫЕ СТРУКТУРЫ
ГЕРМАНИЙ
НАНОСТРУКТУРЫ
НАНОКЛАСТЕРЫ
МНОГОСЛОЙНЫЕ СТРУКТУРЫ
ГАЗОФАЗНАЯ ЭПИТАКСИЯ
МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ
СЕЛЕКТИВНОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ
самоформирующиеся гетероструктуры
самафарміравальныя гетераструктуры
наноостровки
нанаастраўкі
сегрегирующие примеси
сегрэгіручыя прымесі
00000cam0a2200000 ia4500
001 BY-NLB-br0000869715
005 20130110121014.0
100 # # $a 20121112d2012 k y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
105 # # $a a m 000yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Особенности образования наноостровков в многослойных SiGe гетероструктурах и метод селективного легирования SiGe структур сегрегирующими примесями  $e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук  $e специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах  $f Юрасов Дмитрий Владимирович  $g [Институт физики микроструктур Российской академии наук] 
210 # # $a Нижний Новгород  $d 2012 
215 # # $a 22 с.  $c ил. 
320 # # $a Библиография: с. 19—22 
606 0 # $3 BY-NLB-ar1658634  $a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar15092  $a КРЕМНИЕВЫЕ СТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar7308  $a ГЕРМАНИЙ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2665900  $a НАНОСТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar78733  $a НАНОКЛАСТЕРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar3170564  $a МНОГОСЛОЙНЫЕ СТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar3275927  $a ГАЗОФАЗНАЯ ЭПИТАКСИЯ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2282245  $a МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar5550285  $a СЕЛЕКТИВНОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ  $2 DVNLB 
610 0 # $a самоформирующиеся гетероструктуры 
610 0 # $a самафарміравальныя гетераструктуры 
610 0 # $a наноостровки 
610 0 # $a нанаастраўкі 
610 0 # $a сегрегирующие примеси 
610 0 # $a сегрэгіручыя прымесі 
686 # # $a 47.09.29  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 29.19.31  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 29.19.22  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 47.13.11  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 47.13.33  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 05.27.01  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-ar5435986  $a Юрасов  $b Д. В.  $g Дмитрий Владимирович  $c кандидат физико-математических наук  $f род. 1985 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20121112  $g psbo 

Схожие документы