|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0000864227 |
| 005 |
20121126161657.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20121031d2012 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Электронные свойства квантовых ям AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/AlxGa1-xAs с комбинированным и дельта-легированием
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
$f Хабибуллин Рустам Анварович
$g [Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук]
|
| 210 |
# |
# |
$a Москва
$d 2012
|
| 215 |
# |
# |
$a 22 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 21—22 (10 назв.)
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1658634
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar5284505
$a ГАЛЛАТЫ (соединения галлия )
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2699946
$a АРСЕНАТЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2390800
$a КВАНТОВЫЕ ЯМЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar15827
$a ЛЕГИРОВАНИЕ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39092
$a ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar32976
$a ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.22
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.03.05
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 05.27.01
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar5387908
$a Хабибуллин
$b Р. А.
$g Рустам Анварович
$c кандидат физико-математических наук
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20121031
$g psbo
|
