Электронный транспорт в составных квантовых ямах InAlAs/InGaAs/InALAs, содержащих наноразмерные вставки InAs: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Пономарев Дмитрий Сергеевич

Сохранено в:
Шифр документа: 2//142883(039),
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Пономарев, Д. С.
Опубликовано: Москва , 2012
Физические характеристики: 22 с. : ил.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a2200000 ia4500
001 BY-NLB-br0000859827
005 20121127143713.0
100 # # $a 20121018d2012 k y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
105 # # $a g m 000yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Электронный транспорт в составных квантовых ямах InAlAs/InGaAs/InALAs, содержащих наноразмерные вставки InAs  $e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук  $e специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах  $f Пономарев Дмитрий Сергеевич  $g [Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники] 
210 # # $a Москва  $d 2012 
215 # # $a 22 с.  $c ил. 
320 # # $a Библиография: с. 20—22 (14 назв.) 
606 0 # $3 BY-NLB-ar32976  $a ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2122596  $a СВЕРХВЫСОКИЕ ЧАСТОТЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar1658634  $a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2390800  $a КВАНТОВЫЕ ЯМЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2694520  $a ЭЛЕКТРОННЫЙ ТРАНСПОРТ  $2 DVNLB 
686 # # $a 05.27.01  $2 oksvnk 
686 # # $a 29.19.24  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 29.19.22  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 29.35.47  $2 rugasnti  $v 6 
700 # 1 $3 BY-SEK-ar5348991  $a Пономарев  $b Д. С.  $g Дмитрий Сергеевич 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20121018  $g psbo