Реактивный импеданс кремниевых p+-n-диодов, обусловленный радиационными дефектами кристаллической структуры: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Шпаковский Сергей Васильевич
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Шпаковский, С. В. |
| Опубликовано: | Минск , 2012 |
| Физические характеристики: |
23 с.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: | |
| Е-документ: |
E-документ
|
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 2 , доступно: 2 | Доступно Заказать | |||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
||||||||||||||||