Физические принципы повышения мощности полупроводниковых лазеров на основе ALGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктур в непрерывном режиме генерации: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Шашкин Илья Сергеевич
Saved in:
| Format: | |
|---|---|
| Main Author: | Шашкин, И. С. |
| Published: | Санкт-Петербург , 2012 |
| Physical Description: |
16 с. : ил.
|
| Language: | Russian |
| Subjects: |
ОФХ отдела книгохранения
| All : 1 , available: 1 | Available Place a Hold | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||