Физические принципы повышения мощности полупроводниковых лазеров на основе ALGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктур в непрерывном режиме генерации: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Шашкин Илья Сергеевич

Сохранено в:
Шифр документа: 2//138946(039),
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Шашкин, И. С.
Опубликовано: Санкт-Петербург , 2012
Физические характеристики: 16 с. : ил.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a2200000 ia4500
001 BY-NLB-br0000804772
005 20120921101623.0
100 # # $a 20120601d2012 k y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
105 # # $a g m 000yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Физические принципы повышения мощности полупроводниковых лазеров на основе ALGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктур в непрерывном режиме генерации  $e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук  $e специальность 01.04.10 Физика полупроводников  $f Шашкин Илья Сергеевич  $g [Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук] 
210 # # $a Санкт-Петербург  $d 2012 
215 # # $a 16 с.  $c ил. 
320 # # $a Библиография: с. 15—16 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2749267  $a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar24598  $a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar1658634  $a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar18598  $a МНОГОМОДОВЫЕ ЛАЗЕРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar13725  $a КОГЕРЕНТНОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ  $2 DVNLB 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
686 # # $a 29.19.31  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 29.33.15  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 29.33.43  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 29.31.15  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 47.35.31  $2 rugasnti  $v 6 
700 # 1 $3 BY-SEK-ar5232978  $a Шашкин  $b И. С.  $g Илья Сергеевич 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20120601  $g psbo