|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
001 |
BY-NLB-br0000803667 |
005 |
20120919144434.0 |
100 |
# |
# |
$a 20120531d2012 k y0rusy50 ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
$d arm
$d eng
|
102 |
# |
# |
$a AM
|
105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
200 |
1 |
# |
$a Физические характеристики аморфных пленок германия и гетероструктуры a-Ge/p-Si, полученных методом лазерно-импульсного осаждения
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальность А.04.10 Физика полупроводников
$f Арсен Юрьевич Мкртчян
$g Министерство образования и науки РА, Ереванский государственный университет
|
210 |
# |
# |
$a Ереван
$d 2012
|
215 |
# |
# |
$a 24 с.
$c ил.
|
300 |
# |
# |
$a Обложка параллельно на армянском и русском языках
|
300 |
# |
# |
$a Резюме на армянском и английском языках
|
320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 19—20
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2749267
$a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1658634
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar5289739
$a АМОРФНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar4185320
$a АМОРФНЫЕ ПЛЕНКИ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar7308
$a ГЕРМАНИЙ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24113
$a ПОДЛОЖКИ (электроника)
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar5289803
$a ИМПУЛЬСНОЕ ЛАЗЕРНОЕ ОСАЖДЕНИЕ
$2 DVNLB
|
686 |
# |
# |
$a А.04.10
$2 nsnrzz
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$2 rugasnti
$v 6
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.16
$2 rugasnti
$v 6
|
686 |
# |
# |
$a 47.09.29
$2 rugasnti
$v 6
|
700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar5232032
$a Мкртчян
$b А. Ю.
$g Арсен Юрьевич
|
801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20120531
$g psbo
|