Физические характеристики аморфных пленок германия и гетероструктуры a-Ge/p-Si, полученных методом лазерно-импульсного осаждения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность А.04.10 Физика полупроводников / Арсен Юрьевич Мкртчян

Сохранено в:
Шифр документа: 2//138732(039),
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Мкртчян, А. Ю.
Опубликовано: Ереван , 2012
Физические характеристики: 24 с. : ил.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a2200000 ia4500
001 BY-NLB-br0000803667
005 20120919144434.0
100 # # $a 20120531d2012 k y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus  $d arm  $d eng 
102 # # $a AM 
105 # # $a a m 000yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Физические характеристики аморфных пленок германия и гетероструктуры a-Ge/p-Si, полученных методом лазерно-импульсного осаждения  $e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук  $e специальность А.04.10 Физика полупроводников  $f Арсен Юрьевич Мкртчян  $g Министерство образования и науки РА, Ереванский государственный университет 
210 # # $a Ереван  $d 2012 
215 # # $a 24 с.  $c ил. 
300 # # $a Обложка параллельно на армянском и русском языках 
300 # # $a Резюме на армянском и английском языках 
320 # # $a Библиография: с. 19—20 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2749267  $a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar1658634  $a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar5289739  $a АМОРФНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar4185320  $a АМОРФНЫЕ ПЛЕНКИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar7308  $a ГЕРМАНИЙ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar24113  $a ПОДЛОЖКИ (электроника)  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar5289803  $a ИМПУЛЬСНОЕ ЛАЗЕРНОЕ ОСАЖДЕНИЕ  $2 DVNLB 
686 # # $a А.04.10  $2 nsnrzz 
686 # # $a 29.19.31  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 29.19.16  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 47.09.29  $2 rugasnti  $v 6 
700 # 1 $3 BY-SEK-ar5232032  $a Мкртчян  $b А. Ю.  $g Арсен Юрьевич 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20120531  $g psbo