Podobne zapisy

• Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 1.3.11. - Новосибирск, 2025. - 20 с.
  od: Малин, Т. В.
  Wydane: (2025)
• Приборно-технологическое моделирование свойств мощных СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs/InGaAs с одним и двумя дельта-слоями и гетероструктурных GaN транзисторов с буферным слоем, легированным железом Fe и углеродом C: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Тхан Пьо Чжо. - Москва, 2022. - 23 с.
  od: Тхан Пьо Чжо
  Wydane: (2022)
• Технология несплавных омических контактов полевых транзисторов с высокой подвижностью электронов на гетероструктурах AlGaN/GaN: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 2.2.3 Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники / Павлов Владимир Юрьевич. - Москва, 2024. - 22 с.
  od: Павлов, В. Ю.
  Wydane: (2024)