|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0000787309 |
| 005 |
20120619153627.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20120425d2012 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Получение фотоактивных материалов на основе Si и InAs методом ионно-лучевого осаждения
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальность 01.04.07 Физика конденсированного состояния
$f Пащенко Александр Сергеевич
$g [Южный научный центр Российской академии наук]
|
| 210 |
# |
# |
$a Ставрополь
$d 2012
|
| 215 |
# |
# |
$a 16 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 15—16
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1715681
$a ФОТОАКТИВНЫЕ СОЕДИНЕНИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar12162
$a ИОННО-ЛУЧЕВАЯ ОБРАБОТКА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2383788
$a ФОТОВОЛЬТАИКА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar15096
$a КРЕМНИЙ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar66274
$a АРСЕНИД ИНДИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar33870
$a ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39284
$a ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1932605
$a ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar78733
$a НАНОКЛАСТЕРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar45117
$a НАНОЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar5236579
$a ИОННО-ЛУЧЕВОЕ ОСАЖДЕНИЕ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.22
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.33.33
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.37
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.13.07
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.07
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar5177380
$a Пащенко
$b А. С.
$g Александр Сергеевич
$c кандидат физико-математических наук
$f род. 1985
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20120425
$g psbo
|
