Элементы памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления в интегральном исполнении на кремнии: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальности 05.16.08 Нанотехнологии и наноматериалы, 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Костров Александр Иванович

Сохранено в:
Шифр документа: 26Н//3436(039),
Вид документа: Диссертации
Автор: Костров, А. И.
Опубликовано: Минск , 2011
Физические характеристики: 127 л. : ил.
Язык: Русский
Предмет:
Е-документ: E-документ
00000cbm0a2200000 id4500
001 BY-NLB-br0000783823
005 20210309091508.0
100 # # $a 20120413h20112011k y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a BY 
105 # # $a a m 000yy 
109 # # $a ab  $a aa 
200 1 # $a Элементы памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления в интегральном исполнении на кремнии  $e диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук  $e специальности 05.16.08 Нанотехнологии и наноматериалы, 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах  $f Костров Александр Иванович  $g научный руководитель Стемпицкий Виктор Романович  $g Учреждение образования "Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники 
210 # # $a Минск  $d 2011 
215 # # $a 127 л.  $c ил. 
320 # # $a Библиография: л. 106—115 
328 # # $d Защищена 24.11.2011, утверждена 21.03.2012 
333 # # $a Электронная копия размещена с разрешения автора 
488 # 0 $1 001BY-NLB-br0000709461 
606 0 # $3 BY-NLB-ar39524  $a ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМАЯ ПАМЯТЬ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar21709  $a ОПЕРАТИВНАЯ ПАМЯТЬ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar10767  $a ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar63021  $a МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЕ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar82122  $a ТУННЕЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar4555639  $a ФЕРРОМАГНИТНЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar7368  $a ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2246902  $a КРЕМНИЕВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar45117  $a НАНОЭЛЕКТРОНИКА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar11787794  $a МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ ПАМЯТЬ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar13956693  $a ТУННЕЛЬНОЕ МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЕ  $2 DVNLB 
610 0 # $a ФДП-структуры 
615 # # $a Белорусский национальный документ 
675 # # $a 621.377.624.6.037.73(043.3)  $v 4  $z rus 
675 # # $a 004.33.083.076.4(043.3)  $v 4  $z rus 
686 # # $a 05.16.08  $2 nsnrrb 
686 # # $a 05.27.01  $2 nsnrrb 
686 # # $a 50.11.29  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 50.11.15  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 47.33.31  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 47.13.07  $v 6  $2 rugasnti 
700 # 1 $3 BY-SEK-ar4533303  $a Костров  $b А. И.  $g Александр Иванович  $c кандидат технических наук 
702 # 1 $3 BY-SEK-484964  $a Стемпицкий  $b В. Р.  $g Виктор Романович  $c кандидат технических наук  $f род. 1978  $4 727 
712 0 2 $3 BY-NLB-ar186905  $a Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники  $c Минск  $4 995  $4 595 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20111026  $g psbo 
856 4 # $u http://dep.nlb.by/jspui/html/nlb/40706/default.htm