|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0000782631 |
| 005 |
20220614110650.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20120411d2012 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Физико-химические аспекты формирования квантовых точек в системе InGaAs/GaAs методом мос-гидридной эпитаксии
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук
$e специальность 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
$f Вагапова Наргиза Тухтамышевна
$g [Московский государственный университет тонких химических технологий им. М. В. Ломоносова]
|
| 210 |
# |
# |
$a Москва
$d 2012
|
| 215 |
# |
# |
$a 24 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 22—24
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24598
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar17342
$a ЭЛЕКТРОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1658634
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar87662
$a КВАНТОВЫЕ ТОЧКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar33920
$a ТЕХНОЛОГИЯ МАТЕРИАЛОВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1993079
$a МОС-ГИДРИДНАЯ ЭПИТАКСИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar33914
$a ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ РЕЖИМЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar35865
$a ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.35.31
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.29
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.47
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.13
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 05.27.06
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar1892114
$a Вагапова
$b Н. Т.
$g Наргиза Тухтамышевна
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20120411
$g psbo
|
