Разработка технологии и создание GaAs СВЧ монолитных интегральных схем на основе самосовмещенных ионно-легированных полевых транзисторов шоттки: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 01.04.04 Физическая электроника / Арыков Вадим Станиславович

Сохранено в:
Шифр документа: 2//132786(039),
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Арыков, В. С.
Опубликовано: Томск , 2012
Физические характеристики: 22 с. : ил., цв. ил., табл.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a2200000 ia4500
001 BY-NLB-br0000778946
005 20120710080357.0
100 # # $a 20120402d2012 k y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
105 # # $a a m 000yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Разработка технологии и создание GaAs СВЧ монолитных интегральных схем на основе самосовмещенных ионно-легированных полевых транзисторов шоттки  $e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук  $e специальность 01.04.04 Физическая электроника  $f Арыков Вадим Станиславович  $g [Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов] 
210 # # $a Томск  $d 2012 
215 # # $a 22 с.  $c ил., цв. ил., табл. 
320 # # $a Библиография: с. 19—22 (26 назв.) 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2125662  $a СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar11906  $a ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar24309  $a ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar33870  $a ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar12158  $a ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar33914  $a ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ РЕЖИМЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar35939  $a ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ  $2 DVNLB 
686 # # $a 47.33.31  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 47.13.11  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 29.35.47  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 01.04.04  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-ar5093260  $a Арыков  $b В. С.  $g Вадим Станиславович 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20120402  $g psbo