|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
001 |
BY-NLB-br0000773038 |
005 |
20120628161429.0 |
100 |
# |
# |
$a 20120322d2012 k y0rusy50 ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a RU
|
105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
200 |
1 |
# |
$a Электрофизические свойства и оптимизация параметров эпитаксиальных псевдоморфных НЕМТ структур с односторонним и двухсторонним дельта - легированием
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
$f Климов Евгений Александрович
$g [Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук]
|
210 |
# |
# |
$a Москва
$d 2012
|
215 |
# |
# |
$a 18 с.
$c ил.
|
320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 17—18 (12 назв.)
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2125662
$a СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar32976
$a ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar17342
$a ЭЛЕКТРОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar7368
$a ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2665900
$a НАНОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2685025
$a ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ НАРАЩИВАНИЕ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2282245
$a МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar33914
$a ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ РЕЖИМЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar33920
$a ТЕХНОЛОГИЯ МАТЕРИАЛОВ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39284
$a ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
$2 DVNLB
|
686 |
# |
# |
$a 47.33
$2 rugasnti
$v 6
|
686 |
# |
# |
$a 47.45
$2 rugasnti
$v 6
|
686 |
# |
# |
$a 47.09.48
$2 rugasnti
$v 6
|
686 |
# |
# |
$a 47.13
$2 rugasnti
$v 6
|
686 |
# |
# |
$a 29.35.47
$2 rugasnti
$v 6
|
686 |
# |
# |
$a 05.27.01
$2 oksvnk
|
700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar5059939
$a Климов
$b Е. А.
$g Евгений Александрович
$c кандидат физико-математических наук
|
801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20120322
$g psbo
|