|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0000762896 |
| 005 |
20191103093518.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20120302d2012 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Электронные состояния в GaAs и в гетероструктурах Ga2Se3/GaAs
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальность 01.04.10 Физика полупроводников
$f Власов Юрий Николаевич
$g [Воронежский государственный университет инженерных технологий]
|
| 210 |
# |
# |
$a Воронеж
$d 2012
|
| 215 |
# |
# |
$a 16 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 14—16 (20 назв.)
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2749267
$a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1658634
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39116
$a ЭЛЕКТРОННЫЕ СОСТОЯНИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar88186
$a ГРАНИЦЫ РАЗДЕЛА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3286576
$a ШОТТКИ ДИОДЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar6882
$a АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.24
$v 6
$2 rugasnti
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-NLB-ar13614209
$a Власов
$b Ю. Н.
$g Юрий Николаевич
$c кандидат физико-математических наук
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20120302
$g psbo
|
