|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
001 |
BY-NLB-br0000709658 |
005 |
20120110135154.0 |
100 |
# |
# |
$a 20111027d2011 k y0rusy50 ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a RU
|
105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
200 |
1 |
# |
$a Электронная структура напряженных гетероструктур Ge / Si с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальность 01.04.10 Физика полупроводников
$f Блошкин Алексей Александрович
$g [Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН]
|
210 |
# |
# |
$a Новосибирск
$d 2011
|
215 |
# |
# |
$a 17 с.
$c ил.
|
320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 14—17
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2749267
$a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39090
$a ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1658634
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar87662
$a КВАНТОВЫЕ ТОЧКИ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3170564
$a МНОГОСЛОЙНЫЕ СТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2113377
$a МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar7308
$a ГЕРМАНИЙ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar15096
$a КРЕМНИЙ
$2 DVNLB
|
686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.24
$2 rugasnti
$v 6
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$2 rugasnti
$v 6
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.22
$2 rugasnti
$v 6
|
700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar4534955
$a Блошкин
$b А. А.
$g Алексей Александрович
|
801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20111027
$g psbo
|