Электронная структура границ раздела Cs/InGaN, Cs/GaN, Ba/GaN, Ba/AlGaN и формирование аккумуляционного слоя: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: 01.04.10 / Тимошнев Сергей Николаевич
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Тимошнев, С. Н. |
| Опубликовано: | Санкт-Петербург , 2011 |
| Физические характеристики: |
20 с. : ил.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||