|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0000697867 |
| 005 |
20111019113104.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20110921d2011 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Разработка, создание и исследование генераторов высоковольтных наносекундных импульсов на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук
$e 01.04.13
$f Мошкунов Сергей Игоревич
$g [Институт электрофизики и электроэнергетики РАН]
|
| 210 |
# |
# |
$a Санкт-Петербург
$d 2011
|
| 215 |
# |
# |
$a 36 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 32—36 (39 назв.)
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39288
$a ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ УСТАНОВКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar30230
$a ПИТАНИЯ СИСТЕМЫ (техн.)
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar11560
$a ИМПУЛЬСНЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2868807
$a НАНОСЕКУНДНЫЕ ИМПУЛЬСЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar4496827
$a БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar25811
$a ПРОЕКТИРОВАНИЕ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar33796
$a ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1877194
$a РЕЖИМНЫЕ ПАРАМЕТРЫ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.59.39
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.33
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.14.07
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.13
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar4436397
$a Мошкунов
$b С. И.
$g Сергей Игоревич
$c кандидат физико-математических наук
$c доктор технических наук
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20110921
$g psbo
|
