|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0000696991 |
| 005 |
20110929095634.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20110919d2011 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твердых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
$e 01.04.10
$f Якушев Максим Витальевич
$g [Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН]
|
| 210 |
# |
# |
$a Новосибирск
$d 2011
|
| 215 |
# |
# |
$a 40 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 35—40
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2749267
$a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar12593
$a КАДМИЙ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar28620
$a РТУТЬ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar33240
$a ТЕЛЛУР
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar32980
$a ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2282245
$a МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar4048642
$a БУФЕРНЫЕ СЛОИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24113
$a ПОДЛОЖКИ (электроника)
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3170564
$a МНОГОСЛОЙНЫЕ СТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.16
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.13.33
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-557239
$a Якушев
$b М. В.
$g Максим Витальевич
$c доктор физико-математических наук
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20110919
$g psbo
|
