|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0000677906 |
| 005 |
20110629135926.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20110623d2011 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a y m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Разработка физических основ молекулярно-пучковой эпитаксии для создания полупроводниковых наноструктур и ВТСП соединений
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
$e 01.04.10
$f Мамутин Владимир Васильевич
$g [Учреждение Российской академии наук "Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН"]
|
| 210 |
# |
# |
$a Санкт-Петербург
$d 2011
|
| 215 |
# |
# |
$a 34 с.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 28—34
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2749267
$a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2282245
$a МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2665900
$a НАНОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1658725
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ОПТОЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1773258
$a НИТРИД ИНДИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar6576
$a ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЕ СВЕРХПРОВОДНИКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24596
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.22
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.29
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.29
$2 rugasnti
$v 6
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar4270977
$a Мамутин
$b В. В.
$g Владимир Васильевич
$c кандидат физико-математических наук
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20110623
$g psbo
|
