Захват свободных носителей заряда на глубокие уровни в слоях объемного заряда арсенала галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: 01.04.10 / Речкунов Сергей Николаевич

Сохранено в:
Шифр документа: 2//111412(039),
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Речкунов, С. Н.
Опубликовано: Новосибирск , 2011
Физические характеристики: 22 с. : ил.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a2200000 ia4500
001 BY-NLB-br0000674259
005 20110624104429.0
100 # # $a 20110613d2011 k y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
105 # # $a a m 000yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Захват свободных носителей заряда на глубокие уровни в слоях объемного заряда арсенала галлия  $e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук  $e 01.04.10  $f Речкунов Сергей Николаевич  $g [Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук] 
210 # # $a Новосибирск  $d 2011 
215 # # $a 22 с.  $c ил. 
320 # # $a Библиография: с. 20—22 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2749267  $a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar6882  $a АРСЕНИД ГАЛЛИЯ   $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar4255368  $a ЗАХВАТ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2854732  $a ГЛУБОКИЕ ЦЕНТРЫ (физ.)  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar38838  $a ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОЛЯ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar38189  $a ШОТТКИ БАРЬЕРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar1659663  $a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПЛЕНКИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar20472  $a НЕРАЗРУШАЮЩИЙ КОНТРОЛЬ  $2 DVNLB 
686 # # $a 29.19.31  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 29.19.16  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 47.09.29  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Речкунов  $b С. Н.  $g Сергей Николаевич 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20110613  $g psbo