|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0000643814 |
| 005 |
20140226151637.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20110316d2011 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры мощных СВЧ LDMOS транзисторов
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
$e 05.27.01
$f Ткачев Александр Юрьевич
$g [ГОУ ВПО "Воронежский государственный университет"]
|
| 210 |
# |
# |
$a Воронеж
$d 2011
|
| 215 |
# |
# |
$a 16 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 14—16 (26 назв.)
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1735600
$a СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar4022160
$a КРЕМНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar14454
$a КОНСТРУКТИВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2644768
$a ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar38860
$a ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2519494
$a ПРОЕКТИРОВАНИЕ С ПРИМЕНЕНИЕМ МОДЕЛЕЙ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar29086
$a САПР
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar14264
$a КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar37857
$a ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ
$2 DVNLB
|
| 610 |
0 |
# |
$a LDMOS-транзисторы
|
| 610 |
0 |
# |
$a LDMOS-транзістары
|
| 610 |
0 |
# |
$a ISE TCAD
|
| 686 |
# |
# |
$a 05.27.01
$2 oksvnk
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.14.07
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.01.77
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 50.51.15
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 50.51.17
$2 rugasnti
$v 6
|
| 700 |
# |
1 |
$a Ткачев
$b А. Ю.
$g Александр Юрьевич
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20110316
$g psbo
|
