|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0000611083 |
| 005 |
20110225154120.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20101223d2010 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Фотоэлектрические явления и эффект поля в квантово-размерных гетеронаноструктурах In(Ga)As/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e 01.04.10
$f Истомин Леонид Анатольевич
$g [Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского]
|
| 210 |
# |
# |
$a Нижний Новгород
$d 2010
|
| 215 |
# |
# |
$a 17 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 15—17
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2749267
$a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1658634
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2665900
$a НАНОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3275927
$a ГАЗОФАЗНАЯ ЭПИТАКСИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar52786
$a ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3125003
$a КВАНТОВЫЕ РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.22
$2 rugasnti
$v 6
|
| 700 |
# |
1 |
$a Истомин
$b Л. А.
$g Леонид Анатольевич
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20101223
$g psbo
|
