Исследование и разработка усилителей считывания с повышенной устойчивостью к технологическому разбросу параметров транзисторов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: 05.13.05 / Дунаева Мария Андреевна

Сохранено в:
Шифр документа: 2//100362(039),
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Дунаева, М. А.
Опубликовано: Москва , 2010
Физические характеристики: 30 с.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a2200000 ia4500
001 BY-NLB-br0000603893
005 20171213131850.0
100 # # $a 20101210d2010 k y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
105 # # $a y m 000yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Исследование и разработка усилителей считывания с повышенной устойчивостью к технологическому разбросу параметров транзисторов  $e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук  $e 05.13.05  $f Дунаева Мария Андреевна  $g ["Самсунг Электроникс Ко Лтд.", г. Москва] 
210 # # $a Москва  $d 2010 
215 # # $a 30 с. 
320 # # $a Библиография: с. 29—30 (10 назв.) 
606 0 # $3 BY-NLB-ar34408  $a ТРАНЗИСТОРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2105390  $a БОЛЬШИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar32716  $a СЧИТЫВАНИЯ УСТРОЙСТВА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar18374  $a МИКРОЭЛЕКТРОННАЯ ПРОМЫШЛЕННОСТЬ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar35397  $a УСИЛИТЕЛИ  $2 DVNLB 
686 # # $a 05.13.05  $2 oksvnk 
686 # # $a 47.33.31  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 47.13  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 47.33  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 47.41.33  $v 6  $2 rugasnti 
700 # 1 $3 BY-SEK-ar1932435  $a Дунаева  $b М. А.  $g Мария Андреевна 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20101210  $g psbo