|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0000603870 |
| 005 |
20110117152127.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20101210d2010 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e 01.04.10
$f Дзядух Станислав Михайлович
$g [Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет", "Сибирский физико-технический институт"]
|
| 210 |
# |
# |
$a Томск
$d 2010
|
| 215 |
# |
# |
$a 18 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 17—18
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2749267
$a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar69493
$a ИНТЕРМЕТАЛЛИДЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1718776
$a ГЕТЕРОЭПИТАКСИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2282245
$a МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar55300
$a МДП-СТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39284
$a ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1932605
$a ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.03
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.16
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$a Дзядух
$b С. М.
$g Станислав Михайлович
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20101210
$g psbo
|
