|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0000597352 |
| 005 |
20111103105648.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20101130d2010 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Инфракрасная полупроводниковая оптоэлектроника с использованием гетероструктур из арсенида индия и твердых растворов на его основе
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
$e 01.04.10
$f Матвеев Борис Анатольевич
$g [Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН]
|
| 210 |
# |
# |
$a Санкт-Петербург
$d 2010
|
| 215 |
# |
# |
$a 35 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 29—35
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1658725
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ОПТОЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar11319
$a ИЗЛУЧАЮЩИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar12130
$a ИНФРАКРАСНОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1658634
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar6882
$a АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar32980
$a ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar21821
$a ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar38854
$a ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar18162
$a МЕХАНИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar4348477
$a ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.33.33
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.03.05
$2 rugasnti
$v 6
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar1905295
$a Матвеев
$b Б. А.
$g Борис Анатольевич
$c доктор физико-математических наук
$c музыкант
$f род. 1955
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20101130
$g psbo
|
